NVRAM 非易失性随机访问存储器 (Non-Volatile Random Access Memory),是指断电后仍能保持数据的一种RAM。 如果通俗地解释非易失性
存储器,那就是指断电之后,所存储的数据不丢失的随机访问存储器。 之所以加如此的定语,是因为: 1.与此对应的随机访问存储器(Random Access Memory,RAM)包含SRAM和DRAM(其又分为SDRAM,DDR SDRAM,DDR2 SDRAM ,RDRAM,Direct RDRAM),断电之后信息就丢失了。其中,DRAM又分为SDRAM(由6个晶体管组成),DDR SDRAM(有一个晶体管组成),DDR2 SDRAM(利用电平脉冲的上升沿和下降沿传输数据,使得数据传输频率相对于普通的DDR SDRAM加倍) ,和采用RSL技术的RDRAM,Direct RDRAM),
2.NVRAM可以随机访问。因此有些解释中,说Flash是属于NVRAM,是不准确的。因为从严格意义上来说,Flash分有两种:nand flash和nor flash。其中的nor属于是可以随机访问的,而nand flash不是真正的随机访问,属于顺序访问(serial access)。
1.带有备用电源的SRAM
2.借助NVM(比如E2PROM)存储SRAM的信息并恢复来实现非易失性。
对于我们身边处处可见的U盘,数码相机、可拍照手机、PDA、以及其中的存储卡,如CF、SD等等,内部多数是采用的Nand Flash。
而Nor Flash 对用于嵌入式中少量系统等信息的存储。
对于Nand Flash 和Nor Flash的区别和各自特点,可以参考Linux MTD 官网 http://www.linux-mtd.infradead.org/doc/nand.html 和 NAND和NOR的比较
手机上所谓的NVRAM是一套机制,它的数据部分:default存在flash的code区,NARAM文件存在文件系统区域(系统盘)phone的电话本数据是以NVRAM文件的形式保存在文件系统区域的(系统盘),SIM卡的电话本就在SIM卡上了,T卡是扩展的flash,都是文件系统区
非易失性存储器主要有以下类型:
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ROM (Read-only memory,只读存储器)
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PROM (Programmable read-only memory,可编程只读存储器)
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EAROM (Electrically alterable read only memory,电可改写只读存储器)
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EPROM (Erasable programmable read only memory,可擦可编程只读存储器)
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EEPROM (Electrically erasable programmable read only memory,电可擦可编程只读存储器)
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Flash memory (闪存)
清除NVRAM数据:
不同的NVRAM,清除方法不同。
NVRAM主要是设备出厂时放入的该设备型号参数等基本信息的芯片,一般操作不是清除而是复位。
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非常好的nvram介绍,包含了flash,nand,nor等等,还有介绍包括浮栅三极管的一些知识